SSM6L39TU,LF
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| Numero di parte | SSM6L39TU,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.054 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6L39TU,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 358615 pcs | Scheda dati | SSM6L39TU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | UF6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 143 mOhm @ 600MA, 4V | Potenza - Max | 500mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | SSM6L39TU,LF(B SSM6L39TU,LF(T SSM6L39TULFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA 500mW Surface Mount UF6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA |
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