SSM6N357R,LF
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| Numero di parte | SSM6N357R,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.059 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6N357R,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 383832 pcs | Scheda dati | SSM6N357R |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP-F | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V | Potenza - Max | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | SSM6N357R,LF(B SSM6N357RLFTR |
temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 650mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 650mA (Ta) |
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