SSM6N36FE,LM
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| Numero di parte | SSM6N36FE,LM |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.033 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6N36FE,LM | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 753629 pcs | Scheda dati | SSM6N36FEMosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 (1.6x1.6) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V | Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SSM6N36FE(TE85L,F) SSM6N36FE(TE85LF)TR SSM6N36FE(TE85LF)TR-ND SSM6N36FE,LM(B SSM6N36FE,LM(T SSM6N36FELM(TTR SSM6N36FELM(TTR-ND SSM6N36FELMTR SSM6N36FETE85LF |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA |
| Numero di parte base | SSM6N36 |
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