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SSM6K514NU,LF

SSM6K514NU,LF
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Numero di parte SSM6K514NU,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 306802 pcs
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Numero di parte SSM6K514NU,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 306802 pcs Scheda dati SSM6K514NU
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-UDFNB (2x2) Serie U-MOSIX-H
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6 mOhm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi SSM6K514NULFDKR temperatura di esercizio 150°C
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)

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