SSM6L35FU(TE85L,F)
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| Numero di parte | SSM6L35FU(TE85L,F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.184 | $0.129 | $0.085 | $0.05 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6L35FU(TE85L,F) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 467232 pcs | Scheda dati | SSM6L35FU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | US6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V | Potenza - Max | 200mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | SSM6L35FU(TE85LF)CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA, 100mA |
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