SSM6K781G,LF
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| Numero di parte | SSM6K781G,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.071 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6K781G,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 266864 pcs | Scheda dati | SSM6K781G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-WCSPC (1.5x1.0) | Serie | U-MOSVII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-UFBGA, WLCSP |
| Altri nomi | SSM6K781G,LF(S SSM6K781GLFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | N-Channel 12V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
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