SSM6N16FUTE85LF
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| Numero di parte | SSM6N16FUTE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.032 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6N16FUTE85LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 756173 pcs | Scheda dati | SSM6N16FU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 100µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | US6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V | Potenza - Max | 200mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | SSM6L09FU(TE85LF) SSM6N16FU(TE85L,F) SSM6N16FUTE85LFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 200mW Surface Mount US6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
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