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SSM6N35AFU,LF

SSM6N35AFU,LF
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Numero di parte SSM6N35AFU,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 626446 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		3000 pcs
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Numero di parte SSM6N35AFU,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 626446 pcs Scheda dati SSM6N35AFU
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore US6 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V Potenza - Max 285mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi SSM6N35AFU,LF(B
SSM6N35AFULF
SSM6N35AFULF(B
SSM6N35AFULF-ND
SSM6N35AFULFTR		 temperatura di esercizio 150°C
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount US6 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)

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