SSM6J511NU,LF
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| Numero di parte | SSM6J511NU,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.056 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6J511NU,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 386764 pcs | Scheda dati | SSM6J511NU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie | U-MOSVII | Rds On (max) a Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 4A, 8V |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
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