SSM6J51TUTE85LF
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| Numero di parte | SSM6J51TUTE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4A UF6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6J51TUTE85LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4A UF6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5687 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideSSM6J51TU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UF6 | Serie | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 54 mOhm @ 2A, 2.5V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | SSM6J51TU(TE85LF)DKR SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND SSM6J51TUTE85LFDKR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 2.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
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