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SSM6K202FE,LF

SSM6K202FE,LF
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Numero di parte SSM6K202FE,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 278974 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte SSM6K202FE,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 278974 pcs Scheda dati SSM6K202FEMosfets Prod Guide
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore ES6 (1.6x1.6) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 85 mOhm @ 1.5A, 4V Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi SSM6K202FE(TE85LFCT
SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
SSM6K202FE,LFCT
SSM6K202FE,LFCT-ND
SSM6K202FELF
SSM6K202FELFCT		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)

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