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SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF
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Numero di parte SSM6J501NU,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 373394 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SSM6J501NU,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 373394 pcs Scheda dati SSM6J501NU
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-UDFNB (2x2) Serie U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NULF(TTR-ND
SSM6J501NULFTR		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29.9nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)

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