SSM6J502NU,LF(T
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| Numero di parte | SSM6J502NU,LF(T |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.281 | $0.236 | $0.177 | $0.13 | $0.10 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6J502NU,LF(T | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 216280 pcs | Scheda dati | SSM6J502NU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-UDFNB (2x2) | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | SSM6J502NULF(TDKR SSM6J502NULFDKR SSM6J502NULFDKR-ND |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
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