SSM6J215FE(TE85L,F
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| Numero di parte | SSM6J215FE(TE85L,F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.172 | $0.134 | $0.092 | $0.063 | $0.047 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6J215FE(TE85L,F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 455993 pcs | Scheda dati | SSM6J215FE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 59 mOhm @ 3A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SSM6J215FE(TE85LFCT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
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