SSM6J507NU,LF
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| Numero di parte | SSM6J507NU,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.205 | $0.173 | $0.13 | $0.095 | $0.074 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6J507NU,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 290062 pcs | Scheda dati | SSM6J507NU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +20V, -25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-UDFNB (2x2) | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | SSM6J507NULFDKR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
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