SSM6K217FE,LF
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| Numero di parte | SSM6K217FE,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.04 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6K217FE,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 507289 pcs | Scheda dati | SSM6K217FE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 | Serie | U-MOSVII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 195 mOhm @ 1A, 8V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FELFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.2V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
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