SIHD6N80E-GE3
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| Numero di parte | SIHD6N80E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 800V TO-252 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.883 | $0.797 | $0.64 | $0.498 | $0.413 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHD6N80E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 800V TO-252 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 75472 pcs | Scheda dati | SIHD6N80E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 940 mOhm @ 3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 827pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tc) |
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