SIHF12N60E-GE3
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| Numero di parte | SIHF12N60E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.064 | $0.957 | $0.903 | |||
| 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs | |||
| $0.769 | $0.722 | $0.632 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHF12N60E-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 53519 pcs | Scheda dati | SiHF12N60E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 937pF @ 100V |
| Vgs (th) (max) a Id | 380 mOhm @ 6A, 10V | Vgs (Max) | 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | E |
| Stato RoHS | Digi-Reel® | Rds On (max) a Id, Vgs | 12A (Tc) |
| Polarizzazione | TO-220-3 Full Pack | Altri nomi | SIHF12N60E-GE3DKR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 19 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SIHF12N60E-GE3 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 58nC @ 10V |
| Tipo IGBT | ±30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 600V | rapporto di capacità | 33W (Tc) |
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