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SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3
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Numero di parte SIHD6N62E-GE3
fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 86474 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SIHD6N62E-GE3 fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 620V 6A TO-252 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 86474 pcs Scheda dati SIHD6N62E-GE3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - Prova 578pF @ 100V
Tensione - Ripartizione D-PAK (TO-252AA) Vgs (th) (max) a Id 900 mOhm @ 3A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Serie -
Stato RoHS Tape & Reel (TR) Rds On (max) a Id, Vgs 6A (Tc)
Polarizzazione TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 19 Weeks codice articolo del costruttore SIHD6N62E-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 34nC @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4V @ 250µA
Caratteristica FET N-Channel Descrizione espansione N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tensione drain-source (Vdss) - Descrizione MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 620V rapporto di capacità 78W (Tc)

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