SIHF12N50C-E3
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| Numero di parte | SIHF12N50C-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.097 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHF12N50C-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 30015 pcs | Scheda dati | SIH(P,B,F)12N50C-E3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 555 mOhm @ 4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 36W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1375pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V | Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 12A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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