SIHD5N50D-GE3
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| Numero di parte | SIHD5N50D-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.433 | $0.383 | $0.303 | $0.235 | $0.186 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHD5N50D-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 128452 pcs | Scheda dati | SIHD5N50D |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Tc) |
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