SIHD6N65ET1-GE3
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| Numero di parte | SIHD6N65ET1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.285 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHD6N65ET1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 67592 pcs | Scheda dati | SIHD6N65E-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
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