SIHD5N50D-GE3
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| Numero di parte | SIHD5N50D-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHD5N50D-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4102 pcs | Scheda dati | SIHD5N50D |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 325pF @ 100V |
| Tensione - Ripartizione | TO-252AA | Vgs (th) (max) a Id | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | - |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (max) a Id, Vgs | 5.3A (Tc) |
| Polarizzazione | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Altri nomi | SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50DGE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | SIHD5N50D-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20nC @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 500V | rapporto di capacità | 104W (Tc) |
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- Parte#:
TMM-146-01-G-S-RA-005 - Produttori:
Samtec, Inc. - Descrizione:
2MM TERMINAL STRIP - Disponibile:
14111