SIHD6N62ET1-GE3
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| Numero di parte | SIHD6N62ET1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.706 | $0.626 | $0.495 | $0.384 | $0.303 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHD6N62ET1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 65822 pcs | Scheda dati | SIHD6N62E-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 900 mOhm @ 3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | SIHD6N62ET1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 19 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 578pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 620V | Descrizione dettagliata | N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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