SSM6J212FE,LF
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| Numero di parte | SSM6J212FE,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.064 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6J212FE,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 304357 pcs | Scheda dati | SSM6J212FEMosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SSM6J212FE(TE85L,F SSM6J212FE(TE85LFTR SSM6J212FE(TE85LFTR-ND SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FELF SSM6J212FELFTR SSM6J212FETE85LF |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
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