SIHF12N65E-GE3
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| Numero di parte | SIHF12N65E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.426 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHF12N65E-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 70014 pcs | Scheda dati | SIHF12N65E-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 1224pF @ 100V |
| Tensione - Ripartizione | TO-220 Full Pack | Vgs (th) (max) a Id | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | - |
| Stato RoHS | Bulk | Rds On (max) a Id, Vgs | 12A (Tc) |
| Polarizzazione | TO-220-3 Full Pack | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 19 Weeks | codice articolo del costruttore | SIHF12N65E-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70nC @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 650V | rapporto di capacità | 33W (Tc) |
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