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SIHF15N60E-GE3

SIHF15N60E-GE3
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Numero di parte SIHF15N60E-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 58105 pcs
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Numero di parte SIHF15N60E-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 58105 pcs Scheda dati SiHF15N60E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Full Pack Serie E
Rds On (max) a Id, Vgs 280 mOhm @ 8A, 10V Dissipazione di potenza (max) 34W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi SIHF15N60E-GE3TR
SIHF15N60E-GE3TR-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)

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