SIHF22N60E-GE3
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| Numero di parte | SIHF22N60E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.652 | $1.327 | $1.209 | $0.979 | $0.826 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHF22N60E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 46790 pcs | Scheda dati | SIHF22N60E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | SIHF22N60E-GE3CT SIHF22N60E-GE3CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
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