SSM6N48FU,RF
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| Numero di parte | SSM6N48FU,RF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6N48FU,RF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4787 pcs | Scheda dati | SSM6N48FU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 100µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | US6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 10mA, 4V | Potenza - Max | 300mW |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | SSM6N48FURFDKR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15.1pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
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