2SJ681(Q)
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| Numero di parte | 2SJ681(Q) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SJ681(Q) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4969 pcs | Scheda dati | 2SJ681Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PW-MOLD2 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 170 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 20W (Ta) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Ta) Through Hole PW-MOLD2 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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