2SJ668(TE16L1,NQ)
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| Numero di parte | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SJ668(TE16L1,NQ) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5141 pcs | Scheda dati | 2SJ668 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PW-MOLD | Serie | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 170 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | 2SJ668(TE16L1NQ) | temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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