2SJ610(TE16L1,NQ)
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| Numero di parte | 2SJ610(TE16L1,NQ) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SJ610(TE16L1,NQ) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4122 pcs | Scheda dati | 2SJ610Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PW-MOLD | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.55 Ohm @ 1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 20W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 381pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 250V 2A (Ta) 20W (Ta) Surface Mount PW-MOLD | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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