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2SJ687-ZK-E1-AY

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Numero di parte 2SJ687-ZK-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5978 pcs
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Numero di parte 2SJ687-ZK-E1-AY fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 20V 20A TO-252 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5978 pcs Scheda dati 2SJ687
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (MP-3ZK) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 7 mOhm @ 10A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 2SJ687-ZK-E1-AYDKR temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 20A (Tc) 1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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