2SJ661-DL-1E
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| Numero di parte | 2SJ661-DL-1E |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 38A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.954 | $0.862 | $0.693 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SJ661-DL-1E | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 38A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 47876 pcs | Scheda dati | 2SJ661 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-263-2 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 39 mOhm @ 19A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 2SJ661-DL-1EOSDKR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 9 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 20V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Ta) |
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