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2SJ665-DL-1EX

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Numero di parte 2SJ665-DL-1EX
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 100V 27A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5829 pcs
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Numero di parte 2SJ665-DL-1EX fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 100V 27A TO263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5829 pcs Scheda dati 2SJ665
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-2 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 77 mOhm @ 14A, 10V Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio 150°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 20V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata P-Channel 100V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta)

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