SIZF906DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZF906DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.28 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZF906DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 72913 pcs | Scheda dati | SiZF906DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAIR® 6x5F | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V | Potenza - Max | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZF906DT-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAIR® 6x5F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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