SIZ920DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ920DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ920DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5143 pcs | Scheda dati | SIZ920DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V | Potenza - Max | 39W, 100W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZ920DT-T1-GE3TR SIZ920DTT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A |
| Numero di parte base | SIZ920 |
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