SIZF906ADT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZF906ADT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.272 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZF906ADT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 88211 pcs | Scheda dati | SIZF906ADT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V | Potenza - Max | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZF906ADT-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V, 200nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
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