SIZ988DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ988DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.204 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ988DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 113112 pcs | Scheda dati | SIZ988DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPair® | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V | Potenza - Max | 20.2W, 40W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc), 60A (Tc) |
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