SIZ916DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ916DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ916DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5426 pcs | Scheda dati | SiZ916DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 19A, 10V | Potenza - Max | 22.7W, 100W |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZ916DT-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1208pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A, 40A |
| Numero di parte base | SIZ916 |
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