SIZ918DT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIZ918DT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.208 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIZ918DT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 112566 pcs | Scheda dati | SIZ918DT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12 mOhm @ 13.8A, 10V | Potenza - Max | 29W, 100W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DTT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 27 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A, 28A | Numero di parte base | SIZ918 |
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