SIS903DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SIS903DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.415 | $0.366 | $0.289 | $0.224 | $0.177 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIS903DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 108969 pcs | Scheda dati | SIS903DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual | Serie | TrenchFET® Gen III |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V | Potenza - Max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Altri nomi | SIS903DN-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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