SIS888DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SIS888DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.279 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIS888DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 84857 pcs | Scheda dati | SIS888DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | Serie | ThunderFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 58 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8S |
| Altri nomi | SIS888DN-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 75V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150V | Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 20.2A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
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