SIS822DNT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIS822DNT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.047 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIS822DNT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 441004 pcs | Scheda dati | SIS822DNT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 15.6W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard | 27 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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