SISA16DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SISA16DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.086 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | SISA16DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 275363 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 250µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | - | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 | Altri nomi | SISA16DN-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 16A (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Numero di parte base | SISA16 |
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