SIS778DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SIS778DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIS778DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 5377 pcs | Scheda dati | SIS778DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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