SIS902DN-T1-GE3
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| Numero di parte | SIS902DN-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIS902DN-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4136 pcs | Scheda dati | SIS902DN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 186 mOhm @ 3A, 10V | Potenza - Max | 15.4W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Altri nomi | SIS902DN-T1-GE3TR SIS902DNT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 38V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 75V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Numero di parte base | SIS902 |
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HRG3216P-8251-B-T1 - Produttori:
Susumu - Descrizione:
RES SMD 8.25K OHM 0.1% 1W 1206 - Disponibile:
123664