SIHB24N65ET1-GE3
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| Numero di parte | SIHB24N65ET1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.291 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHB24N65ET1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 26907 pcs | Scheda dati | SiHB24N65E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) | Serie | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2740pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
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