Italia

Seleziona la lingua

  1. English
  2. Deutsch
  4. Français
  5. Italia
  6. Dansk
  7. 한국의
  8. Português
  9. ภาษาไทย
  10. Kongeriket
  11. Maori
  12. Melayu
  13. polski
  14. Nederland
  15. Türk dili
  16. Suomi
  17. Tiếng Việt
  18. Svenska
  19. русский
  20. العربية
  21. Gaeilge
  22. Republika e Shqipërisë
  23. Eesti Vabariik
  24. Български език
  25. Pilipino
  26. Čeština
  27. Hrvatska
  28. românesc
  29. မြန်မာ
  30. Cрпски
  31. සිංහල
  32. Slovenská
  33. Slovenija
  34. español
  35. עִבְרִית
  36. Ελλάδα
  37. Magyarország
  38. Azərbaycan
  39. Беларусь
  40. íslenska
  41. Bosna
  42. فارسی
  43. Afrikaans
  44. Cambodia
  45. საქართველო
  46. Ayiti
  47. Hausa
  48. Kurdî
  49. Latviešu
  50. ພາສາລາວ
  51. lietuvių
  52. Lëtzebuergesch
  53. malaɡasʲ
  54. Македонски
  55. Україна
  56. Indonesia
  57. پښتو
  58. हिंदी
  59. Монголулс
  60. اردو
  61. বাংলা ভাষার
  62. नेपाली
  63. O'zbek
  64. मराठी
Annulla
RFQ / ordine | Contatto |
Si prega di inserire un numero di parte produttore totale o parziale, con un minimo di 3 lettere o numeri
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Presenti l'inchiesta
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3
OMRON AUTOMATION & SAFETYLe immagini sono solo di riferimento.
Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
acquistare SIHB33N60E-GE3 con fiducia da Components-World.HK, 1 anno di garanzia

Richiedi un preventivo

Numero di parte SIHB33N60E-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 29795 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$2.554$2.28$1.87$1.514$1.277

Invia una richiesta di offerta a quantità maggiori di quelle visualizzate.

Prezzo indicativo:(USD)
Quantità:
Totale:
$2.554

Product parameter

Numero di parte SIHB33N60E-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 29795 pcs Scheda dati SiHB33N60E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 99 mOhm @ 16.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SIHB33N60EGE3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3508pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)

Prodotti correlati

UTS6FC14E18S Image
$18.207/pcsInchiesta

Notizie correlate per SIHB33N60E-GE3

Parole chiave collegate a SIHB33N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay SIHB33N60E-GE3. Distributore SIHB33N60E-GE3. SIHB33N60E-GE3 fornitore. Prezzo SIHB33N60E-GE3. SIHB33N60E-GE3 Scarica la scheda tecnica Foglio dati SIHB33N60E-GE3. Stock SIHB33N60E-GE3.Acquista SIHB33N60E-GE3. Electro-Films (EFI) / Vishay SIHB33N60E-GE3. Electro-Films (EFI) / Vishay SIHB33N60E-GE3. Vishay Electro-Films SIHB33N60E-GE3. Phoenix Passive Components / Vishay SIHB33N60E-GE3.