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SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3
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Numero di parte SIHB30N60AEL-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 28475 pcs
Prezzo di Riferimento
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$1.253

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Numero di parte SIHB30N60AEL-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHAN 600V D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 28475 pcs Scheda dati SIHB30N60AEL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) Serie EL
Rds On (max) a Id, Vgs 120 mOhm @ 15A, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SIHB30N60AEL-GE3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2565pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)

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